Avec la 3D V-NAND (également appelée V-NAND ou 3D NAND), les transistors sont disposés verticalement par rapport à la surface de la puce et les lignes de mémoire flash sont empilées en couches. Cela permet d'atteindre une densité de stockage plus élevée tout en réduisant le risque d'interférences entre les cellules. Grâce à la réduction des connexions entre les cellules, la performance électrique augmente, ce qui entraîne également une diminution de la consommation d'énergie.