Memorysolution DDR4
Latitude E5570, 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Modèle59
Informations sur le produit
Le module de RAM DDR4 Memorysolution offre une extension de mémoire fiable et performante pour les systèmes compatibles, en particulier pour le Dell Latitude E5570. Avec une capacité de 8 Go et une vitesse de 2133 MHz (PC4-17000), ce module SO DIMM 260-PIN est idéal pour les applications nécessitant un traitement rapide des données. Le design non tamponné et la technologie Non-ECC garantissent des performances efficaces sans latence supplémentaire, ce qui en fait un excellent choix pour les utilisateurs souhaitant optimiser les performances de leur système. Avec une tension de fonctionnement de 1,2 V, ce module contribue également à l'efficacité énergétique, ce qui est particulièrement avantageux dans les appareils mobiles. L'installation facile et la compatibilité avec le Dell Latitude E5570 en font une solution pratique pour la mise à niveau des ordinateurs portables.
- Capacité de mémoire de 8 Go pour de meilleures capacités multitâches
- Vitesse de fonctionnement de 2133 MHz pour un traitement rapide des données
- Design non tamponné pour des temps de latence réduits
- Conçu pour une compatibilité spécifique avec le Dell Latitude E5570.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Modèle compatible | Latitude E5570 |
Marque compatible | Vallon |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2133 MHz |
Numéro d'article | 14225896 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS8192DE-NB011 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Vallon |
Modèle compatible | Latitude E5570 |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2133 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | DDR4-2133 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 260 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
Sécurité des produits |
30 jours de droit de retour