Memorysolution DDR3L
HP 355 G2, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Modèle32
Informations sur le produit
La mémoire DDR3L RAM Memorysolution est une mémoire vive puissante et fiable, spécialement conçue pour l'ordinateur portable HP 355 G2. Avec une capacité de 4 Go et une vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800), cette mémoire SO DIMM à 204 broches offre des performances optimales pour les applications quotidiennes et le multitâche. La mémoire DDR3L est conçue pour fonctionner avec une tension de seulement 1,35 V, ce qui la rend économe en énergie et prolonge la durée de vie de l'appareil. Étant une mémoire non tamponnée et non-ECC, ce RAM est particulièrement adapté à une utilisation dans les ordinateurs portables, où la stabilité et la fiabilité sont essentielles. L'installation facile et la compatibilité avec le HP 355 G2 font de cette mémoire vive un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur appareil.
- Technologie basse tension de 1,35 V pour une efficacité énergétique
- Mémoire non tamponnée et non-ECC pour une stabilité améliorée
- Conçue pour une compatibilité spécifique avec le HP 355 G2
- Haute vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800) pour des performances fluides.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Modèle compatible | HP 355 G2 |
Marque compatible | HP |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 14241271 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096HP-NB104 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | HP |
Modèle compatible | HP 355 G2 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
Sécurité des produits |
30 jours de droit de retour