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PNY 8GB DDR4 2666MHz DIMM MD8GSD42666-SB

1 x 8GB, 2666 MHz, RAM DDR4, DIMM
Prix en EUR TVA incl.
Livré entre mer, 15/4 et ven, 17/4
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
livraison gratuite

Informations sur le produit

Améliorez les performances de votre ordinateur avec une mise à niveau de mémoire PNY DDR4. Souhaitez-vous travailler avec les dernières applications gourmandes en mémoire, telles que des outils de conception graphique et de montage vidéo ? Voulez-vous mettre à niveau votre système en ajoutant la dernière technologie DRAM ? Le module de mémoire DDR4 2666 MHz de PNY offre la vitesse et la fiabilité dont vous avez besoin pour exploiter pleinement le potentiel de votre système.

Depuis plus de 40 ans, PNY s'approvisionne, teste et produit soigneusement des modules de mémoire pour des milliers des plateformes PC les plus populaires. Peu importe ce que vous faites avec votre ordinateur, avec le module DDR4 2666 MHz de PNY, vous le ferez mieux et plus rapidement.

Les performances de DDR4 2666 MHz. La mémoire PNY DDR4 offre une vitesse plus élevée, une bande passante accrue, une consommation d'énergie réduite et de meilleures performances thermiques, ce qui entraîne des améliorations notables du temps de réponse de l'ordinateur lors d'applications gourmandes en mémoire. Les modules de mémoire PNY DDR4 sont soigneusement conçus et testés pour garantir des performances stables et fiables dans des environnements informatiques réels.

Spécifications principales

Configuration de la mémoire
1 x 8GB
Type de mémoire vive
RAM DDR4
Fréquence de l'horloge de stockage
2666 MHz
latence CAS
19
Tension électrique
1.20 V

Informations générales

Numéro d'article
61910789
Fabricant
PNY
Catégorie
Mémoire vive
Réf. du fabricant
MD8GSD42666-SB
Date de sortie
8/9/2025
Liens externes

Mémoire vive

Configuration de la mémoire
1 x 8GB
Type de mémoire vive
RAM DDR4
Fréquence de l'horloge de stockage
2666 MHz
Vitesse de transmission
2666 MT/s
Puce mémoire vive
RAM DDR4
Facteur de forme mémoire vive
DIMM
Nombre de broches
288x
Mémoire tampon RAM
non tamponné
latence CAS
19

Alimentation

Tension électrique
1.20 V

Provenance

Pays d'origine
France

Contribution climatique volontaire

CO₂-Emission
329,8 kg
Contribution climatique
EUR 3,90

Avis juridique

Sécurité des produits

Dimensions de l’emballage

Longueur
17.20 cm
Largeur
5.10 cm
Hauteur
1.40 cm
Poids
20 g

14 jours de rétractation légale
30 jours de droit de retour
24 mois garantie légale
Questions juridiques

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Convient

Critiques et opinions

Taux de recours en garantie légale

La fréquence à laquelle un produit de cette marque dans la catégorie « Mémoire vive » présente un défaut au cours des 24 premiers mois.

Source: Galaxus
  • PNY
    Données insuffisantes
  • 1.Innovation IT
    0 %
  • 1.Lenovo
    0 %
  • 3.AFOX
    0,2 %
  • 3.Silicon Power
    0,2 %

Durée de la garantie légale

Le temps moyen de traitement entre l'arrivée au point de service et le retour chez le client, en jours ouvrables.

Source: Galaxus
  • PNY
    Données insuffisantes
  • 1.2-Power
    0 jour
  • 1.HPE
    0 jour
  • 1.Mushkin
    0 jour
  • 1.OWC
    0 jour

Taux de retour

Fréquence à laquelle un produit de cette marque est retourné dans la catégorie « Mémoire vive ».

Source: Galaxus
  • 21.HPE
    9 %
  • 22.Samsung
    9,8 %
  • 23.PNY
    9,9 %
  • 24.Dell
    10,8 %
  • 25.Lenovo
    11,2 %
Source: Galaxus