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PHS-memory 4Go de mémoire RAM pour Sony VAIO VPCJ12M1E DDR3 SO DIMM 1066MHz

Sony VAIO VPCJ12M1E, 1 x 4GB
Prix en EUR TVA incl.
Livré entre mar, 16/6 et jeu, 18/6
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
livraison gratuite

Informations sur le produit

La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Sony VAIO VPCJ12M1E et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une capacité de 4 Go et une fréquence d'horloge de 1066 MHz, cette mémoire DDR3 SO-DIMM permet d'améliorer les performances du système et d'exécuter les applications de manière fluide. La compatibilité avec le Sony VAIO VPCJ12M1E garantit une installation facile et une utilisation optimale du matériel. Cette mémoire est idéale pour les utilisateurs souhaitant augmenter les performances de leur appareil, que ce soit pour des tâches quotidiennes ou des applications plus exigeantes. Avec une tension de 1,5 Volt et une technologie de puce LPDDR3, cette RAM est un choix efficace pour votre système.

  • 100 % compatible avec le Sony VAIO VPCJ12M1E
  • Technologie DDR3 SO-DIMM pour des performances améliorées
  • Fréquence d'horloge de 1066 MHz pour un traitement rapide des données
  • Installation et utilisation faciles sans ajustements supplémentaires.

Spécifications principales

Marque compatible
Sony
RAM pour modèle
Sony VAIO VPCJ12M1E
Configuration de la mémoire
1 x 4GB
Type de mémoire vive
RAM DDR3
Fréquence de l'horloge de stockage
1066 MHz
Mémoire tampon RAM
non tamponné

Informations générales

Numéro d'article
22396542
Fabricant
PHS-memory
Catégorie
RAM spécifique au système
Réf. du fabricant
SP128129
Date de sortie
19/4/2021

Couleur

Éclairage LED
sans LED

Mémoire vive

Marque compatible
Sony
RAM pour modèle
Sony VAIO VPCJ12M1E
Configuration de la mémoire
1 x 4GB
Domaine d'utilisation du matériel
Ordinateur portable
Type de mémoire vive
RAM DDR3
Fréquence de l'horloge de stockage
1066 MHz
Capacité de mémoire (RAM) par module
4 Go
Puce mémoire vive
DDR3L-1066
Facteur de forme mémoire vive
SO-DIMM
Nombre de broches
204x
Mémoire tampon RAM
non tamponné

Alimentation

Tension électrique
1.50 V
Tension nominale
1.50 V

Provenance

Pays d'origine
Chine

Contribution climatique volontaire

CO₂-Emission
81,33 kg
Contribution climatique
EUR 2,05

Avis juridique

Sécurité des produits

14 jours de rétractation légale
30 jours de droit de retour
24 mois garantie légale
Questions juridiques

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